Bu çalışmada; 59,54 keV'lik foton yayımlayan noktasal 241Am radyoizotop kaynağı kullanılarak Si ve GaAs yarıiletkenlerin inelastik diferansiyel saçılma tesir kesitleri 130, 135, 140, 145 ve 150 derecelik açılarda ölçüldü. ...