GaAs ve Si yarı iletkenlerinin etkin atom numarası ve kütle soğurma katsayısının yönelime bağlı ölçümü

Abstract

Bu çalışmada özellikle teknolojide çok kullanılan yarı iletkenlerden olan GaAs ve Si kristallerinin kütle soğurma katsayısı, toplam tesir kesiti ve elektron yoğunlukları ölçülmüştür. Özellikle GaAs kristali için etkin atom numarasında deney ve teori arasında bir farkın olduğu görülmüştür. Bu fark küçük gözükse de uygulamada önemlidir. In this study, the mass absorption coefficient and the total cross section of the electron density were measured of GaAs and Si semiconductors, materials which are of technological importance. A difference was determined between theory and experiamental values, especially for GaAs crystals and its effective atomic number. Although this difference was small, it has important implications in pratice.