Dış elektrik alanın bazı yarı iletkenlerin kütle soğurma katsayısına etkisi

Abstract

Bu çalışmanın ilk aşamasında; filtrelenmiş, 59.54 keV'lik foton yayımlayan noktasal 241Am radyoizotop kaynağı kullanılarak, Au/n?Si/n+Si/Al, n-tipi GaAs, p-tipi GaAs, n-tipi Si yarı iletkenlerin kütle soğurma katsayıları dış elektrik alanlı ve elektrik alansız olarak ölçüldü. Bu ölçümler incelenerek, dış elektrik alanın kütle soğurma katsayısına etkileri araştırıldı. Elektrik alanda Au/n?Si/n+Si/Al ve n-tipi Si numunelerin kütle sogurma katsayılarının arttığı görüldü. Fakat n-tipi GaAs ve p-tipi GaAs numunelerininde kayda değer bir değişim gözlenmedi.Çalışmanın ikinci kısmında p-tipi GaAs, n-tipi GaAs, Au/n?Si/n+Si/Al, n-tipi Si, InSe, numunelerin kütle sogurma katsayıları ölçüldü. Deneysel değerlerden elde edilen veriler ile (34) denklemi (Lambert Beer yasası) kullanılarak bu numunelerin kütle soğurma katsayıları hesaplandı. Bulunan sonuçlarların teorik değerlerle oldukça uyumlu olduğu görüldü.Anahtar Kelimler: GaAs, Si, Kristal Yapı, Kütle Soğurma Katsayısı, Elektirik Alan, Yarı İletkenler. In the first stage of this study, mass attenuation coefficients of semiconductors Au/n?Si/n+Si/Al, n-type GaAs, p-type GaAs and n-type Si were measured using filtered 241Am radioisotope source emitting 59.54 keV photon in the presence and absence of external electric field. The effects of the external electric field on mass attenuation coefficients were investigated by examining these measurements. It is seen that in the presence of external electric field, the mass attenuation coefficients of samples Au/n?Si/n+Si/Al and n-type Si were increased. But any significant changes were not observed for the samples n-type GaAs and p-type GaAs.In the second stage of this study, the mass attenuation coefficients of samples p-type, GaAs, n-type GaAs, Au/n?Si/n+Si/Al, n-type Si, InSe were measured. Mass attenuation coefficients of these samples were calculated using the results obtained from experimental datas in Eq.(34) (Lambert Beer law). It was seen that the obtained results are in best agreement with the theoretical ones.Key Words: GaAs, Si, Crystal Structure, Mass Attenuation Coefficients, Electric Field, Semiconductors.