• Türkçe
    • English
  • Türkçe 
    • Türkçe
    • English
  • Giriş
Öğe Göster 
  •   RTEÜ
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • Scopus İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
  •   RTEÜ
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • Scopus İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Analysis of CeO2/SiO2 double-layer thin film stack with antireflection effect for silicon solar cells

Göster/Aç

Tam Metin / Full Text (2.553Mb)

Erişim

info:eu-repo/semantics/openAccess

Tarih

2024

Yazar

Kanmaz, Imran
Tomakin, Murat
Uzum, Abdullah

Üst veri

Tüm öğe kaydını göster

Künye

Kanmaz, I., Tomakin, M., & Uzum, A. (2024). Analysis of CeO2/SiO2 double-layer thin film stack with antireflection effect for silicon solar cells. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 35(22), 1497. https://doi.org/10.1007/s10854-024-13245-5

Özet

This study introduces CeO2/SiO2 double-layer film stacks and its antireflection coating effect. Optical properties were analyzed by spectrophotometer measurements; surface morphology and cross-sections were observed by Scanning Electron Microscopy (SEM); elemental distributions and crystallographic properties were determined by Energy Dispersive Spectroscopy (EDS) and X-ray Diffraction (XRD) measurements. Average reflectance of single-layer 0.3MSiO2, 0.6MSiO2, and 0.3MCeO2 thin films were 30.54%, 20.12%, and 14.23%, respectively. Average reflectance was decreased significantly down to 5.9% by 0.3MCeO2/0.6MSiO2 double-layer thin films comparing to those of the results of single-layer films and bare silicon surface reflection (~40%). Antireflective effect of the films on solar cells was estimated by simulation using the measured reflection data. Simulated solar cells indicate that 0.3MCeO2/0.6MSiO2 double-layer antireflective coatings are capable to increase the efficiency significantly and conversion efficiency of 21.7% could be achieved.

Kaynak

Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Cilt

35

Sayı

22

Bağlantı

https://doi.org/10.1007/s10854-024-13245-5
https://hdl.handle.net/11436/9266

Koleksiyonlar

  • FEF, Fizik Bölümü Koleksiyonu [355]
  • Scopus İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [6023]
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [5260]



DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 




| Yönerge | Rehber | İletişim |

DSpace@RTEÜ

by OpenAIRE
Gelişmiş Arama

sherpa/romeo

Göz at

Tüm DSpaceBölümler & KoleksiyonlarTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına GöreBu KoleksiyonTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına Göre

Hesabım

GirişKayıt

İstatistikler

Google Analitik İstatistiklerini Görüntüle

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 


|| Rehber|| Yönerge || Kütüphane || Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi || OAI-PMH ||

Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi, Rize, Türkiye
İçerikte herhangi bir hata görürseniz, lütfen bildiriniz:

Creative Commons License
Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi Institutional Repository is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 Unported License..

DSpace@RTEÜ:


DSpace 6.2

tarafından İdeal DSpace hizmetleri çerçevesinde özelleştirilerek kurulmuştur.