Ara
Toplam kayıt 1, listelenen: 1-1
GaAs ve Si yarı iletkenlerinin etkin atom numarası ve kütle soğurma katsayısının yönelime bağlı ölçümü
(Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Anabilim Dalı, 2016)
Bu çalışmada özellikle teknolojide çok kullanılan yarı iletkenlerden olan GaAs ve Si kristallerinin kütle soğurma katsayısı, toplam tesir kesiti ve elektron yoğunlukları ölçülmüştür. Özellikle GaAs kristali için etkin atom ...