Compton saçılmasına kimyasal etkinin katkısının ölçülmesi

Abstract

Bu çalışmada, kimyasal bağların bir fonksiyonu olarak atomların X-ışını saçılmaları çalışılmıştır. Diğer araştırmacılardan tamamen farklı bir yöntem kullanılmıştır. Literatürde kimyasal etki çalışmaları incelendiğinde genellikle bir birleriyle benzer oldukları görülebilmektedir. Bizim bilgilerimize göre, yapılan çalışmalarda bulunan etki değerleri hemen hemen hata sınırları içinde kalmaktadır. Sunulan çalışmada, hata sınırları dışında net etkiyi gözlemleyecek bir yöntem önerildi. SiC, B4C, CaCO3, ve C (grafit) numunelerinden saf Compton pikleri elde edildi. Bu piklerden serbest elektronlara ait sayımları pik analizi ile elde edildi. Bağ enerjileri teorik olarak hesaplandı. Deney de verimi 1 olan HpGe detektörü kullanıldı. Kaynak olarak 1 Ci (curie) 241Am halka kaynak kullanıldı. Elde edilen sayımlarla bağ enerjileri arasında bir ilişki gözlemlendi. In this study, the x-ray scattering of atoms was studied as a function of chemical bonds. When the chemical effect studies are investigated in the literature, it can be seen that all studies almost are the similar. As for as the author's knowledge, a completely different technique was used in this study according to the mentioned methods in literature. It can be seem that the values reported by different researchers were in the margin of error approximately. In the presented study, a method enabling to observe the net effect that is outside the margin of error has been suggested. The pure Compton peaks were obtained from SiC, B4C, CaCO3, and C (graphite) samples. Counts belonging to the free electrons have been analyzed from these peaks. The bounding energies were calculated theoretically. HpGe detector which has efficiency value as 1 has been used in the experiment. 1 Ci (curie) 241Am ring was used as the source material. A relation has been observed between the chemical bonds from the obtained counts.