Çok Katmanlı Kapton Bant Üzerindeki CoFe'in Manyetik Alan Tepkili Özelliklerinin İncelenmesi

Abstract

Esnek bir alttaş (Kapton bant) üzerinde manyetik olmayan bir ara katman üzerinde üretilen ferromanyetik [Fe65Co35]5/Cu/[Fe65Co35]5 çok katmanlı manyeto-tepki hücreleri elektron mikroskobu, Xışını kırınımı, manyetik ve magneto empedans ölçümleri alınarak incelenmiştir. Benzer bir hücrede, bu katmanlar, seçilen büyüme altlığı sert bir yapıda olduğu zaman, olağanüstü bir magneto-empedans etki performansına sahip olduklarını göstermiştir. Burada, bu hücreler Kapton bant üzerinde büyütülerek, manyetik alan sensörü olarak kullanımı değerlendirilip ve magneto empedans özellikleri hazırlama koşulları açısından analiz edilmiştir. Gelecekteki algılama uygulamaları için bu malzeme, düşük fiyat aralığı ve nispeten yüksek hassasiyet özellikleri ile dev manyeto-empedans etkisi için umut verici bir adaydır. Manyeto empedans etkisini gözlemlemek için empedans ölçümlerinin frekans bağımlılığı, uygulanan düşük manyetik alanın bir fonksiyonu olarak gerçekleştirilmiştir. Hücrelerin empedans değeri, düşük frekans aralıklarında sabit 20 mA AC akım kaynağı ile karakterize edilmiştir. Si ve Kapton kaplamadaki filmde, duyarlılıkları, sırasıyla,% 30 / Oe ve% 17 / Oe civarında olan, manyeto empedans oranlarını % 140'a ve% 55'e kadar gösteren pik tepkileri elde edilmiştir

Multilayer magneto-response cells (MMRC) fabricated on a non-magnetic layer among ferromagnetic [Fe65electron microscopy, X-ray diffraction, magnetic and magnetoimpedance measurements. In a similar cell, these layers have shown previously to have an outstanding magnetoimpedance (MI) effect performance when the selected growth substrate is a rigid one. Here, this MMRC produces on the Kapton tape and evaluate during the using as a magnetic field sensor and the magnetoimpedance characteristics are analyzed in terms of preparation conditions. For future sensing applications, this material is a promising candidate for giant magnetoimpedance effect with the range of low price and relatively high sensitivity features. In order to observe MI effect, the frequency dependence of impedance measurements has performed as a function of the applied low magnetic field. The impedance value of the cells has characterized by using constant 20 mA AC current source at low frequencies ranges. Double (out of plane measurement) peak responses have obtained, showing MI ratios up to % 140 and % 55, their sensitivities are around 30 %/Oe and 17 %/Oe in the film on Si and Kapton tape, respectively