• Türkçe
    • English
  • Türkçe 
    • Türkçe
    • English
  • Giriş
Öğe Göster 
  •   RTEÜ
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • Scopus İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
  •   RTEÜ
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • Scopus İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Growth and characterization of CT(S,Se) thin films and Al/n-Si/p-CT(S,Se)/Mo heterojunction diode application employing a two-stage process

Thumbnail

Göster/Aç

Full Text / Tam Metin (5.641Mb)

Erişim

info:eu-repo/semantics/closedAccess

Tarih

2023

Yazar

Bayazıt, Tuğba
Olgar, Mehmet Ali
Küçükömeroğlu, Tayfur
Bacaksız, Emin
Tomakin, Murat

Üst veri

Tüm öğe kaydını göster

Künye

Bayazıt, T., Olgar, M.A., Küçükömeroğlu, T., Bacaksız, E. & Tomakin, M. (2023). Growth and characterization of CT(S,Se) thin films and Al/n-Si/p-CT(S,Se)/Mo heterojunction diode application employing a two-stage process. Sensors and Actuators A: Physical, 363, 114679. https://doi.org/10.1016/j.sna.2023.114679

Özet

Cu2SnS3 (CTS), Cu2Sn(S,Se)3 (CTSSe), and Cu2SnSe3 (CTSe) thin films were deposited on n-type silicon wafer substrates using a two-stage process. This process involved drop-coating Cu-Sn precursors, which is different from the vacuum-based fabrication methods. The sulfurization/selenization of the films was achieved using the rapid thermal processing (RTP) method at 550 °C. The structural, morphological, and optical properties of CTS, CTSSe, and CTSe thin films were investigated. Al/n-Si/p-CTS/Mo, Al/n-Si/p-CTSSe/Mo, and Al/n-Si/p-CTSe/Mo heterojunction diodes were formed, and electrical characterizations were performed. According to the performed analyses, it was detected that while CTS and CTSSe thin films had a Cu-poor chemical composition (Cu/Sn∼1.7), the CTSe thin film showed a Cu-rich chemical composition. X-ray diffraction (XRD) and Raman spectra of the samples showed that all samples had a monoclinic crystal structure as a dominant phase. Scanning electron microscope (SEM) images showed that the incorporation of selenium (Se) into prepared samples contributes to form a larger-grained structure. The band gap (Eg) of CTS, CTSSe, and CTSe thin films was determined from the optical reflectance measurements, and they were found to be 1.02 eV, 1.00 eV, and 0.96 eV, respectively. According to the data obtained from the I-V measurements of the heterojunction diode, the incorporation of Se into the film structure reduced the series resistance (Rs) in the heterojunctions from 8.27 × 102 Ω to 2.42 × 102 Ω, and the best ideality factor value was obtained in the Al/n-Si/p-CTSe/Mo heterojunction with a n = 2.87 value.

Kaynak

Sensors and Actuators A: Physical

Cilt

363

Bağlantı

https://doi.org/10.1016/j.sna.2023.114679
https://hdl.handle.net/11436/8626

Koleksiyonlar

  • FEF, Fizik Bölümü Koleksiyonu [355]
  • Scopus İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [5931]
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [5260]



DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 




| Yönerge | Rehber | İletişim |

DSpace@RTEÜ

by OpenAIRE
Gelişmiş Arama

sherpa/romeo

Göz at

Tüm DSpaceBölümler & KoleksiyonlarTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına GöreBu KoleksiyonTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına Göre

Hesabım

GirişKayıt

İstatistikler

Google Analitik İstatistiklerini Görüntüle

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 


|| Rehber|| Yönerge || Kütüphane || Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi || OAI-PMH ||

Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi, Rize, Türkiye
İçerikte herhangi bir hata görürseniz, lütfen bildiriniz:

Creative Commons License
Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi Institutional Repository is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 Unported License..

DSpace@RTEÜ:


DSpace 6.2

tarafından İdeal DSpace hizmetleri çerçevesinde özelleştirilerek kurulmuştur.