• Türkçe
    • English
  • Türkçe 
    • Türkçe
    • English
  • Giriş
Öğe Göster 
  •   RTEÜ
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
  •   RTEÜ
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Enhancement in the optical and electrical properties of CdS thin films through Ga and K co-doping

Thumbnail

Göster/Aç

Full Text / Tam Metin (3.491Mb)

Erişim

info:eu-repo/semantics/closedAccess

Tarih

2017

Yazar

Yılmaz, Salih
Toreli, S. B.
Polat, İsmail
Olgar, M. A.
Tomakin, Murat
Bacaksız, Emin

Üst veri

Tüm öğe kaydını göster

Künye

Yılmaz, S., Toreli, S.B., Polat, İ., Olgar, M.A., Tomakin, M. & Bacaksız, E. (2017). Enhancement in the optical and electrical properties of CdS thin films through Ga and K co-doping. Materials Science in Semiconductor Processing, 60, 45-52. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.12.016

Özet

In the presented work, Ga-doped CdS and (Ga-K)-co-doped CdS thin films are grown on glass substrates at a temperature of 400 degrees C through spray pyrolysis. Influence of K-doping on structural, morphological, optical and electrical characteristics of CdS:Ga thin films are examined. K level is changed from 1 at% to 5 at% for CdS:Ga samples just as Ga concentration is fixed 2 at% for all CdS thin films. It is observed from the X-ray diffraction data that all the samples exhibit hexagonal structure and an increase level of K in Ga-doped CdS samples causes a degradation in the crystal quality. Energy-dispersive X-ray spectroscopy measurements illustrate that the best stoichiometric film is acquired when K content is 2 at% in Ga-doped CdS films. Optical transmission curves demonstrate that CdS:Ga thin films exhibit the best optical transparency in the visible range for 4 at% K content compared to other specimens. A widening in the optical bandgap is unveiled after K-dopings. It is obtained that maximum band gap value is found as 2.45 eV for 3 at%, 4 at% and 5 at%. K -dopings while Ga-doped CdS thin films display the band gap value of 2.43 eV. From photoluminescence measurements, the most intensified peak is observed in the deep level emission after incorporation of the 4 at% K atoms. As for electrical characterization results, the resistivity reduces and the carrier density improves with the increase of K concentration from 1 at% to 4 at%. Based on all the data, it can be deduced that 4 at% K-doped CdS:Ga thin films show the best optical and electrical behavior, which can be utilized for solar cell devices.

Kaynak

Materials Science in Semiconductor Processing

Cilt

60

Bağlantı

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.12.016
https://hdl.handle.net/11436/2167

Koleksiyonlar

  • FEF, Fizik Bölümü Koleksiyonu [355]
  • Scopus İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [5931]
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [5260]



DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 




| Yönerge | Rehber | İletişim |

DSpace@RTEÜ

by OpenAIRE
Gelişmiş Arama

sherpa/romeo

Göz at

Tüm DSpaceBölümler & KoleksiyonlarTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına GöreBu KoleksiyonTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına Göre

Hesabım

GirişKayıt

İstatistikler

Google Analitik İstatistiklerini Görüntüle

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 


|| Rehber|| Yönerge || Kütüphane || Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi || OAI-PMH ||

Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi, Rize, Türkiye
İçerikte herhangi bir hata görürseniz, lütfen bildiriniz:

Creative Commons License
Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi Institutional Repository is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 Unported License..

DSpace@RTEÜ:


DSpace 6.2

tarafından İdeal DSpace hizmetleri çerçevesinde özelleştirilerek kurulmuştur.